| 高精度可调节CMOS带隙基准电路设计 |
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| 引用本文： | 侯少华,宋强.高精度可调节CMOS带隙基准电路设计[J].科学技术与工程,2008,8(9):2443-2446. |
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| 作者姓名： | 侯少华 宋强 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,西安,710065 |
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| 摘 要： | 为了实现可变参考电压的电路结构,且降低该参考电压的温度系数,采用CSMC 0.6 μm的CMOS N阱工艺模型,设计了一种新型高精度可调节CMOS带隙基准电压源电路.该电路在传统带隙基准的基础上,增加了一级运算放大器,并详细分析了合理的参数取值,可以通过调整电阻值来得到任意输出参考电压.设计结果表明,在-55℃～125℃温度范围内,该电路不仅具有良好的温度特性,对工艺也不敏感.
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| 关 键 词： | 带隙基准 热电压 温度系数 电源抑制比 |
| 修稿时间： | 2008年1月7日 |
Design of Precise and Adjustable CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit |
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| HOU Shao-hu,SONG Qiang.Design of Precise and Adjustable CMOS Bandgap Voltage Reference Circuit[J].Science Technology and Engineering,2008,8(9):2443-2446. |
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| Authors: | HOU Shao-hu SONG Qiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | OTA |
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