准分子激光诱导下a—Si:H膜的电导率异常 |
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作者姓名: | 戴永兵 安承武 |
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作者单位: | [1]华中理工大学电子科学与技术系 [2]华中理工大学激光技术与工程研究院 |
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摘 要: | 用XeCl准分子激光器对a-Si:H薄膜进行了低能量密度下的辐照处理,测量了激光辐照区内薄膜的电导率随能量密度与脉冲数的变化。研究表明,能量密度在75mJ/cm^2附近的激光辐照可导致膜的电导率大幅度升高,这种电导率异常是膜表层形成了nmSi晶粒分散于a-Si:H基底中的混合相的反映。
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关 键 词: | 电导率异常 准分子激光 氢化非晶硅 半导体 |
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