气体放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN膜 |
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作者姓名: | 汪洪海 郑启光 |
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摘 要: | 使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积AlN薄膜,讨论了脉冲能度,氮气放电基底温度等因素对膜的性能的影响,实验结果发现,当DE=1.0J.cm^-2,Pn2=100×133.33Pa,Taub=200℃,V=650V,f=5Hz,ds-T=4cm时,高质量的AlN薄膜被成功沉积于Si(100)基片上,X射线衍射和光谱分析表明,所制备的薄膜具有高取向性的AlN(100)多晶膜,禁带宽度约为6.2eV
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关 键 词: | 气体放电 准分子激光 溅射反应沉积 薄膜 AlN |
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