| 硅烷射频辉光放电中的SiH_2/SiH_3 |
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| 引用本文： | 姚若河 林揆训. 硅烷射频辉光放电中的SiH_2/SiH_3[J]. 汕头大学学报(自然科学版), 1998, 13(2): 16-18 |
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| 作者姓名： | 姚若河 林揆训 |
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| 作者单位： | 汕头大学物理学系!汕头，515063 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，广东省高教厅科研课题 |
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| 摘 要： | 本文报道了采用四极质谱计实现在PCVD系统中对制备a－Si：H薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基团的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下，SiH2与SiH3基团的相对丰度比。
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| 关 键 词： | 中性基团 硅烷 辉光放电 |
Relative abundance ratio of SiH_2 and SiH_3 radicals in the course of silane radio-frequency glow discharge |
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| Yao Ruohe, Lin Kuixun, Shi Wangzhou, Lin Xuangying. Relative abundance ratio of SiH_2 and SiH_3 radicals in the course of silane radio-frequency glow discharge[J]. Journal of Shantou University(Natural Science Edition), 1998, 13(2): 16-18 |
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| Authors: | Yao Ruohe Lin Kuixun Shi Wangzhou Lin Xuangying |
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| Abstract: | In this paper are reported the findings of the relative abundance ratio of SiH2radical and SiH3 radical at low pressure and small discharge power by means of the in-stallation of a quadrupole mass spectrometer on the plasma chemical vapor deposition(PCVD) system for performlng in-line probing of neutral radicals in the course of silaneradio-frequency glow discharge while preparing a-Si: H films. |
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| Keywords: | neutral radical silane radio-frequency glow discharge |
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