| CMOS宽带低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 林丽芬,凌朝东,杨骁.CMOS宽带低噪声放大器的设计[J].华侨大学学报(自然科学版),2012,33(6):640-643. |
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| 作者姓名： | 林丽芬 凌朝东 杨骁 |
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| 作者单位： | 华侨大学信息科学与工程学院,福建361021;厦门市专用集成电路系统重点实验室,福建厦门361008 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，福建省科技计划项目 |
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| 摘 要： | 提出一种利用噪声抵消技术减小热噪声因子的互补金属氧化物半导体(CMOS)宽带低噪声放大器电路.它具有不平衡变换器可转换单端信号为差分信号,无需外接平衡-不平衡变换器,也未采用电感匹配技术,进一步减小了芯片的面积.该低噪声放大器基于TSMC 0.18μm RF CMOS 1.8V的工艺设计,仿真和验证采用Cadence公司的Spectre工具.结果表明:在150～600MHz频带内的噪声系数为3.9dB,输入匹配参数S11小于-11.7dB,输入3阶截点IIP3为1.03dBm.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 宽带 噪声抵消技术 不平衡变换器 互补金属氧化物半导体 |
Design of Low Noise Amplifier in Wide-Band CMOS |
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| LIN Li-fen
,
LING Chao-dong
,
YANG Xiao.Design of Low Noise Amplifier in Wide-Band CMOS[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2012,33(6):640-643. |
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| Authors: | LIN Li-fen LING Chao-dong YANG Xiao |
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| Institution: | 1,2(1.College of Information Science and Engineering,Huaqiao University,Xiamen 361021,China; 2.Key Laboratory of ASIC and System of Xiamen,Xiamen 361008,China) |
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| Abstract: | |
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