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| AS2^＋注入硅的辐射损伤和退火行为研究 | |
| 作者姓名： | 林成鲁 方子韦 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所(林成鲁，方子韦，邢昆山，倪如山)，中国科学院上海冶金研究所(邹世昌) |
| 摘 要： | 本文研究了500keV As_2~ 和250keV As~ 注入单晶硅引起的辐射损伤及其退火行为.结果表明,As_2~ 注入比As~ 注入在硅中引入更大的辐射损伤;经快速热退火后,两类注入样品均能消除损伤,获得高的杂质替位率和电激活率;As_2~ 和As~ 注入样品的载流子浓度的分布有所不同,这是由于As_2~ 注入引入较大辐射损伤引起杂质的快速扩散所致. |
| 关 键 词： | 硅 离子注入 AS2^＋ 辐射损伤 退火 |
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