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| 硅晶体管禁带宽度的测定方法 | |
| 引用本文： | 郑茳,冯耀兰.硅晶体管禁带宽度的测定方法[J].应用科学学报,1990,8(2):126-130. |
| 作者姓名： | 郑茳 冯耀兰 |
| 作者单位： | 东南大学 (郑茳，冯耀兰)，东南大学(魏同立) |
| 摘 要： | 禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况. |
| 关 键 词： | 硅晶体管 禁带宽度 测定 外推法 |
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