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杂志ISSN号
对接沟道 NMOS 结构杂质分布的二维数值模拟
作者姓名:
徐维锋
刘三清
应建华
曹广军
作者单位:
华中理工大学固体电子学系
摘 要:
针对VDMOS-NMOS兼容集成结构建立了对接沟道NMOS晶体管工艺模型,根据其工艺模型,采用面向对象的C++编程对对接沟道NMOS结构的杂质分布进行了二维数值模拟,给出了不同工艺条件下的模拟结果,并且进行了分析.结果表明,对接沟道NMOS结构能较好地实现VDMOS与p阱NMOS电路的兼容集成.
关 键 词:
BJNMOS;杂质分布;工艺模型;数值模拟
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