| 低电压基准电压源 |
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| 引用本文： | 毛静文,陈廷乾,陈诚,任俊彦,杨励. 低电压基准电压源[J]. 复旦学报(自然科学版), 2006, 45(1): 87-91 |
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| 作者姓名： | 毛静文 陈廷乾 陈诚 任俊彦 杨励 |
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| 作者单位： | 复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | National“863”high-tech programSOC project(2003AA1Z1160) |
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| 摘 要： | 设计了一个低电源电压的高精密的CMOS带隙电压基准源,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺。实现了一阶温度补偿,具有良好的电源抑制比。测试结果表明,在1.5 V电源电压下,电源抑制比为47 dB,在0~80℃的温度范围内,输出电压变化率为0.269%,功耗为0.22 mW,芯片核面积为0.057 mm2。
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| 关 键 词： | 模拟集成电路 带隙基准源 电源抑制比 低电压 |
| 文章编号： | 0427-7104（2006）01-0087-05 |
| 收稿时间： | 2005-06-09 |
| 修稿时间： | 2005-06-09 |
Low Supply Bandgap Voltage Reference |
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| MAO Jing-wen,CHEN Ting-qian,CHEN Cheng,REN Jun-yan,YANG Li. Low Supply Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of Fudan University(Natural Science), 2006, 45(1): 87-91 |
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| Authors: | MAO Jing-wen CHEN Ting-qian CHEN Cheng REN Jun-yan YANG Li |
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| Abstract: | A low power and high precision CMOS bandgap voltage reference circuit is presented. Prototype of the circuit is fabricated using the 0.18 μm CMOS process. It fulfills the first order PTAT (Proportion To Absolute Temperature) temperature curvature compensation with a good PSRR (Power Supply Rejection Ratio). The measured results of this circuit at 1.5 V show that the PSRR is 47 dB. And the output voltage varies from 1. 114-1. 117 V which is constant within 0. 269 % over the temperature range of 0 - 80 ℃. The power dissipation is 0.22 mW and the active area is 0. 057 mm2. |
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| Keywords: | analog integrated circuits bandgap voltage reference PSRR low voltage |
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