| 电子辐照硅的缺陷退火特性及少子寿命控制 |
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| 引用本文： | 王放平,孙恒慧,陆昉,盛篪,张增光.电子辐照硅的缺陷退火特性及少子寿命控制[J].复旦学报(自然科学版),1987(3). |
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| 作者姓名： | 王放平 孙恒慧 陆昉 盛篪 张增光 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理学系，复旦大学物理学系，复旦大学物理学系，复旦大学物理学系，上海整流器厂 八五屇硕士研究生 |
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| 摘 要： | 本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3.
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| 关 键 词： | 电子辐照硅 半导体中的缺陷 寿命控制 |
THE ANNEALING BEHAVIOR OF THE DEFECTS AND THE LIFETIME CONTROL IN ELECTRON IRRADIATED SILICON |
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| Wang Fangping,Sun Henghui,Lu Fang,Sheng Chi.THE ANNEALING BEHAVIOR OF THE DEFECTS AND THE LIFETIME CONTROL IN ELECTRON IRRADIATED SILICON[J].Journal of Fudan University(Natural Science),1987(3). |
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| Authors: | Wang Fangping Sun Henghui Lu Fang Sheng Chi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | election irradiated silicon defect in semiconductor lifetime control |
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