| 有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定 |
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| 引用本文： | 吴有智,马继晶,张运虎,张材荣,张定军.有机半导体NPB空穴迁移率的快速确定[J].兰州理工大学学报,2014,40(4):97-100. |
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| 作者姓名： | 吴有智 马继晶 张运虎 张材荣 张定军 |
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| 作者单位： | 1. 省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室,甘肃兰州 730050;兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃兰州730050
2. 兰州理工大学理学院,甘肃兰州,730050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 以典型有机半导体材料——胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)为空穴传输层,采用MoO3为阳极缓冲层制备结构简单的只有空穴传输的单载流子器件.以空间电荷理论为基础,利用从器件电流-电压关系变换而来的一个特殊而简单的函数确定出电场强度在600~1 000V1/2cm-1/2时,NPB空穴迁移率位于1.1×10-5~3.5×10-4 cm2 V-1s-1,这与文献报导采用其他方法得到的结果接近,表明这是一种简单而有效的确定有机半导体载流子迁移率的方法,同时也表明MoO3为阳极缓冲层可在ITO/NPB间形成良好的欧姆接触.
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| 关 键 词： | 有机半导体 NPB 空穴迁移率 空间电荷 |
Fast determination of hole mobility in organic semiconductor NPB |
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| WU You-zhi,MA Ji-jing,ZHANG Yun-hu,ZHANG Cai-rong,ZHANG Ding-jun.Fast determination of hole mobility in organic semiconductor NPB[J].Journal of Lanzhou University of Technology,2014,40(4):97-100. |
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| Authors: | WU You-zhi MA Ji-jing ZHANG Yun-hu ZHANG Cai-rong ZHANG Ding-jun |
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| Institution: | WU You-zhi;MA Ji-jing;ZHANG Yun-hu;ZHANG Cai-rong;ZHANG Ding-jun;State Key Laboratory of Gansu Advanced Nonferrous Metal Materials;College of Materials Science &Engineering,Lanzhou Univ.of Tech.;School of Science,Lanzhou Univ.of Tech.; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic semiconductor NPB hole mobility space charge |
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