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| 基于CMOS工艺的并联双反馈跨阻放大器的设计与实现 | |
| 作者姓名： | 谢生 吴思聪 毛陆虹 高谦 谷由之 李海鸥 |
| 作者单位： | 天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室;桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室 |
| 摘 要： | 针对传统调节型共源共栅(RGC)跨阻放大器在带宽和增益方面的不足,提出1种可拓展带宽和优化平坦度的并联双反馈结构的全差分跨阻放大器.另外,采用反相器替代共源极辅助放大器来提高增益,减小等效输入噪声电流.输出缓冲级的输入端引入无源电感形成π型网络,以抵消其寄生电容.基于UMC 0.18μm CMOS工艺,制备出所设计的跨阻放大器芯片,并将其压焊在FR-4基材的印刷电路板上.测试结果表明,差分跨阻放大器的-3 d B带宽为3.5 GHz,总跨阻增益达60 d BΩ,工作频带内的群延时波动小于25 ps,平均等效输入噪声电流密度为18.72 pA/√Hz.在1.8 V工作电压下,芯片功耗为32.4 mW,裸片面积为800μm×600μm. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |