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光刻技术与电化学相结合的叉指微电极制备工艺研究
引用本文:毕洪梅,史国滨,陈志诚,何先维.光刻技术与电化学相结合的叉指微电极制备工艺研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2018(2).
作者姓名:毕洪梅  史国滨  陈志诚  何先维
作者单位:黑龙江八一农垦大学理学院;黑龙江八一农垦大学电气与信息学院
摘    要:将光刻技术与电化学技术相结合,以AM175型光敏胶为光刻材料,以氧化铟锡(ITO)导电玻璃为基底,摸索与控制实验条件,优化光刻过程的工艺实验参数,实现了共平面的20~200μm的叉指微电极制备.优化的关键工艺参数为365nm的紫外光曝光时间2s,超声清洗7s,碱液Na2CO3浓度为1.5%.以6mol/L HCl溶液为腐蚀液,-2.5V的恒电位法腐蚀裸露ITO40s.采用原子力显微镜(AFM)测定微电极的导电层厚度约为160nm,表面粗糙度~2.5nm.该制备方法操作简单快速、腐蚀效果好、侧蚀程度小等优点.

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