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| 非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响 | |
| 引用本文： | 王韬,张希清.非晶Mg-In-Sn-O薄膜晶体管的制备及有源层厚度对其电学性能的影响[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2018(2). |
| 作者姓名： | 王韬 张希清 |
| 作者单位： | 北京交通大学光电子技术研究所; |
| 摘 要： | 制备了Mg-In-Sn-O薄膜晶体管(MITO-TFT)并探究了其电学性能.作为薄膜晶体管有源层的MITO薄膜在室温条件下通过射频磁控溅射沉积在SiO2/p-type Si衬底上.为了优化MITO-TFT的器件性能,研究了有源层厚度对器件性能的影响.结果表明25nm厚度的器件拥有最高的迁移率,为12.07cm2/Vs,同时阈值电压为4.8V,开关比为1.95×106. |
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