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| 磁斯格明子研究现状综述 | |
| 摘 要： | 磁斯格明子是具有拓扑保护的涡旋磁结构,它因尺寸小、结构稳定、易调控、驱动阈值电流小等诸多优点,有望成为下一代高容量、高速读写、低功耗、非易失性信息存储及逻辑运算的信息载体.它在基础前沿物理研究中的意义以及在未来的信息技术中具有广泛的应用前景,吸引了众多研究者的兴趣.目前已经发现的磁斯格明子能在不同材料体系中跨多个温度区域存在,如低温区B20型中心对称破缺的块体材料或室温区的磁性薄膜材料,以及最近预言的二维单层磁性Janus材料.在这些材料体系中,结构对称性破缺和自旋轨道耦合导致的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)是诱导诸如磁斯格明子等手性磁结构稳定存在的关键因素.简要介绍磁斯格明子的发展历程,归纳总结磁斯格明子的材料体系、研究方法以及基于磁斯格明子的电子学器件,并着重从第一性原理计算的角度出发探讨DMI的物理本质. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |