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| 奥氏体/马氏体异相界面的电子密度 | |
| 引用本文： | 刘志林.奥氏体/马氏体异相界面的电子密度[J].科学通报,1995,40(22):2040-2040. |
| 作者姓名： | 刘志林 |
| 作者单位： | 辽宁工学院材料工程系 锦州121001 (刘志林，孙振国)，辽宁工学院材料工程系 锦州121001(李志林) |
| 摘 要： | 复相合金与复合材料中都存在着异相界面.改善基体与第二相界面的工作已成为材料研究中的重要课题.近年来在复合材料中提出的强界面结合及弱界面结合模型、基体与增强体相匹配的强化机理等在复相合金中也同样适用.这些研究涉及界面物理及界面化学,也包括界面的原子结构及电子状态.程开甲先生认为通常的TFD模型在材料设计、电子输运现象等实用领域中不完善,似乎是在处理原子条件中,特别是在固体中原子的边界条件处理上有一些错误,正确的边界条什是存在的,只是一直未找到.程开甲指出,原子的边界条件 |
| 关 键 词： | 余氏理论 界面 奥氏体 马氏体 电子密度 |
| 收稿时间： | 1995-01-13 |
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