|
|||||
|
|
| MOCVD多晶GaAs的生长与分析 | |
| 引用本文： | 鲍希茂,韩平,尹金妹,蒋晋义.MOCVD多晶GaAs的生长与分析[J].南京大学学报(自然科学版),1986(2). |
| 作者姓名： | 鲍希茂 韩平 尹金妹 蒋晋义 |
| 作者单位： | 四川固体电路研究所 |
| 摘 要： | 用MOCVD技术在无定形绝缘衬底上生长了多晶GaAs薄膜,并对其进行了TEM,X-射线衍射,AES和ESCA等多种分析。结果表明,用MOCVD技术可以在无定形衬底上生长大面积的多晶GaAs薄膜,其表面光亮平坦,结构致密均匀,保持GaAs的化学计量。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |