| LED强化出光技术研究进展 |
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| 引用本文： | 袁冬,周国富,刘延国,林显裕,李楠.LED强化出光技术研究进展[J].华南师范大学学报(自然科学版),2016,48(5):1-7. |
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| 作者姓名： | 袁冬 周国富 刘延国 林显裕 李楠 |
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| 作者单位： | 1.1.华南师范大学华南先进光电子研究所,彩色动态电子纸显示技术研究所,广州 510006; 2.深圳市国华光电科技有限公司,深圳 518110; |
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| 摘 要： | 发光二极管LED(Light Emitting diode)具有节能、环保、寿命长三大优势，被誉为第4代照明光源，但其发光效率,有待进一步提高，导致发光效率损失的主要原因是光提取效率较低，由于半导体材料的折射率较高袁大部分辐射光线在芯片内部产生全反射，最终被吸收转化成热量。为了提升LED的光提取效率袁目前采用的主要方法包括在芯片各表面加工强化出光微结构、改变芯片形状以及改善封装结构与材料3个方面。文章详细分析了各种强化出光方法的原理尧研究方法及其研究成果，并展望了未来的发展趋势援。
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| 关 键 词： | 发光效率 光提取效率 取光结构 强化出光 |
Research Progress on Light Extraction Technology of LED |
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