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| fcc结构晶体层错的自身能及其交互作用能的嵌入原子法计算 | |
| 作者姓名： | 何刚 戎咏华 徐祖耀 |
| 作者单位： | 上海交通大学材料科学与工程学院,上海,200030 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :59671 0 2 3) |
| 摘 要： | 采用嵌入原子法计算了不同价电子Ｃｕ,Ａｇ,Ａｕ,Ｎｉ和Ａｌ５种金属的层错能,结果表明,层错能主要受金属键能和点阵常数的影响,因而单价ｆｃｃ结构的不同金属不应具有相同的层错能,这与Ａｕｒｅｅ的预测不同,间隔为一层（１１１）面的两个层错的交互作用能其计算值约为层错自身能的１／４０￣１／２５０,当层错间隔两上或以上的密排层面时,其交互作用能为零,不考虑孪晶形成后的各松弛,孪晶能正好为单个内层错能的一半 |
| 关 键 词： | 层错能 EAM 交互作用能 晶体缺陷 fcc结构晶体 |
| 修稿时间： | 1999-06-09 |
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