| PCVD制备SnO_2:Sb薄膜及其电学性能分析 |
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| 引用本文： | 陈俊芳,刘祖黎,魏合林,朱大奇. PCVD制备SnO_2:Sb薄膜及其电学性能分析[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 1993, 0(Z1) |
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| 作者姓名： | 陈俊芳 刘祖黎 魏合林 朱大奇 |
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| 作者单位： | 华中理工大学物理系(陈俊芳，刘祖黎，魏合林)，华中理工大学物理系(朱大奇) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题. |
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| 摘 要： | 讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、沉积温度500℃、沉积时间30min的条件下制得了电阻为17Ω/□的SnO_2:Sb薄膜.并利用电镜显微形貌观察到在500℃时,制得的薄膜晶粒细微密集,致密度高.还测定了薄膜的温阻特性,结果表明该膜具有负温阻特性.
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| 关 键 词： | 等离子体化学气相沉积(PCVD) 掺杂透明导电膜 薄膜特性 |
The Preparation of SnO_2 : Sb Film by PCVD and a Study on Electrical Properties |
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| Chen Junfang Liu Zuli Wei Helin Zhu Daqi. The Preparation of SnO_2 : Sb Film by PCVD and a Study on Electrical Properties[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 1993, 0(Z1) |
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| Authors: | Chen Junfang Liu Zuli Wei Helin Zhu Daqi |
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| Affiliation: | Chen Junfang Liu Zuli Wei Helin Zhu Daqi |
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| Keywords: | PCVD transparent conducting film properties of film |
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