首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

一种克服工艺参数影响的IDDT方法
引用本文:盛艳,邝继顺,董玮炜.一种克服工艺参数影响的IDDT方法[J].科学技术与工程,2006,6(17):2653-2656.
作者姓名:盛艳  邝继顺  董玮炜
作者单位:湖南大学计算机与通信学院,长沙,410082
基金项目:国家自然科学基金(60173042,69973016)资助
摘    要:在瞬态电流测试中,即使是同一设计的芯片,由于制作工艺参数的不稳定性,在输入相同的测试向量对时,会产生不同的瞬态电流,这就可能减小故障电路和无故障电路瞬态电流的差别,导致不能对电路是否有故障做出正确的判断。参考稳态电流测试中克服工艺参数影响的方法,针对开路故障,提出了一种在瞬态电流测试中克服工艺参数影响的方法,并利用Pspice软件对这种方法进行了模拟实验。模拟结果证明,该方法是可行的。

关 键 词:CMOS电路  瞬态电流测试  Pspice模拟  工艺参数
文章编号:1671-1817(2006)17-2653-04
收稿时间:2006-04-26
修稿时间:2006年4月26日

A Method Overcomed the Impact of Process Variation in IDDT
SHENG Yan,KUANG Jishun,DONG Weiwei.A Method Overcomed the Impact of Process Variation in IDDT[J].Science Technology and Engineering,2006,6(17):2653-2656.
Authors:SHENG Yan  KUANG Jishun  DONG Weiwei
Abstract:Same integrated circuits manufactured by same technics can draw different IDDT due to the process variations between the circuits even though an identical test vectors is applied to them. When the difference is marked, it is difficult to determine whether the variation in IDDT is due to process variation or is due to a defect. A method is described Which overcomes the problems of the process variation in IDDT test according to the method applied in IDDQ test, and validates this method by Pspice simulation. Experimental results show that this method is feasible.
Keywords:CMOS circuit  IDDT test  Pspice simulation  process parameters
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《科学技术与工程》浏览原始摘要信息
点击此处可从《科学技术与工程》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号