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CH_3OD在Si(111)表面上的TDS研究
引用本文:王祝盈,K.D.Brzoska. CH_3OD在Si(111)表面上的TDS研究[J]. 湖南大学学报(自然科学版), 1991, 18(2)
作者姓名:王祝盈  K.D.Brzoska
作者单位:湖南大学应用物理系(王祝盈),莱比锡大学物理研究所(K.D.Brzoska)
摘    要:本文运用热脱吸附谱方法(TDS)研究了室温下CH_3OD在Si(Ⅲ)表面上的吸附,对所取得的H_2, HD及D_2的热脱吸附谱进行了分析和比较,并计算出它们的脱吸附能和预指数因子.

关 键 词:吸附  热脱附  表面温度/脱附能  预指数因子

A TDS Study of CH_3OD on Si(111) Surface
Wang Zhuying. A TDS Study of CH_3OD on Si(111) Surface[J]. Journal of Hunan University(Naturnal Science), 1991, 18(2)
Authors:Wang Zhuying
Abstract:The adsorption of deuterated methanol (CH_3OD) on Si (111) surface has been studied by means of thermal desorption spectrum (TDS). The desorption spectra of H_2, D_2 and HD have been analyzed in detail and compared with each other. Their desorption energies and pre-exponential factors have been calculated.
Keywords:adsorption  thermal desorption  surface temperature/desorption energy  pre-exponential factor
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