高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性 |
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引用本文: | 尹晓丽,刘肃,王秀华,陈溶波. 高度择优取向单晶氧化锌纳米线的制备与发光特性[J]. 甘肃科技, 2009, 25(17): 50-52,19 |
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作者姓名: | 尹晓丽 刘肃 王秀华 陈溶波 |
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作者单位: | 兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000 |
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基金项目: | 东南大学MEMS教育部重点实验室开放研究基金 |
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摘 要: | 采用电场辅助电化学沉积法,在室温下成功的在阳极氧化铝模板(AAO)内制备了高度择优取向的硫掺杂ZnO单晶纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、隧道电子显微镜(TEM)及选区电子衍射(SAED)对样品的形貌、结构进行分析表明,所得样品是高择优取向的单晶,纳米线,长约几到几十微米,平均直径约70nm。X射线光电子能谱(XPS)进一步证实掺杂硫原子的存在,并分析其生长机制。用荧光光谱仪(PL)分析了样品的发光特性,发现除了典型的ZnO纳米线荧光光谱外,还有紫光和蓝光发光。
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关 键 词: | 微电子学与固体电子学 单晶ZnO纳米线 电化学沉积 光致发光 |
Luminescence Property and Synthesis of Single-crystal Sulfur-doped ZnO Nanowires in a High Preferential orientation |
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Abstract: | |
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Keywords: | |
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