| 用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构 |
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| 引用本文： | 闫文盛,孙治湖,刘庆华,钟文杰,潘志云,韦世强.用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构[J].中国科学技术大学学报,2007(5). |
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| 作者姓名： | 闫文盛 孙治湖 刘庆华 钟文杰 潘志云 韦世强 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,安徽合肥,230029 |
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| 摘 要： | 利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.
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| 关 键 词： | 稀磁半导体 X射线吸收近边谱 局域结构 |
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