| Si基片各向异性腐蚀特性研究 |
| |
| 引用本文： | 姜胜林,曾亦可,刘少波,刘梅冬.Si基片各向异性腐蚀特性研究[J].华中科技大学学报(自然科学版),2003,31(10):22-25. |
| |
| 作者姓名： | 姜胜林 曾亦可 刘少波 刘梅冬 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划项目 (90 2 0 1 0 2 8)，国家高技术研究发展计划资助项目 (2 0 0 2AA32 5 0 80 ) |
| |
| 摘 要： | 为了制备高性能铁电薄膜红外探测器 ,对Si微桥的湿化学腐蚀工艺进行了研究 .利用Si基片各向异性腐蚀特性 ,在四甲基氢氧化铵 (简称TMAH )水溶液中加入氢氧化钾 (KOH)作为各向异性腐蚀液 (简称KTMAH) ,研究了TMAH与KOH摩尔比、腐蚀浓度、腐蚀温度对Si基片腐蚀特性的影响 .结果表明 :Si(1 0 0 )面的腐蚀速度随着腐蚀液浓度和温度的升高而增大 ,随着TMAH与KOH摩尔比的降低 ,KTMAH腐蚀液对掩膜层的腐蚀程度加剧 .选用 5 g/L的过硫酸盐 (PDS)与TMAH质量分数为 2 5 %、TMAH与KOH摩尔比为2的KTMAH混合液作为腐蚀液 ,并在 80℃× 2 .5h的腐蚀条件下能得到平整的腐蚀面 ,可以制备质量较好的微桥结构
|
| 关 键 词： | Si基片各向异性 腐蚀特性 KTMAH腐蚀液 |
| 文章编号： | 1671-4512(2003)10-0022-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月6日 |
The anisotropy of etching solution properties of Si substrates |
| |
| Jiang Shenglin Zeng Yike Liu Shaobo Liu Meidong Jiang Shenglin Prof., Dept. of Electronic Science & Tech.,Huazhong Univ. of Sci. & Tech.,Wuhan ,China..The anisotropy of etching solution properties of Si substrates[J].JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE,2003,31(10):22-25. |
| |
| Authors: | Jiang Shenglin Zeng Yike Liu Shaobo Liu Meidong Jiang Shenglin Prof Dept of Electronic Science & Tech Huazhong Univ of Sci & Tech Wuhan China |
| |
| Institution: | Jiang Shenglin Zeng Yike Liu Shaobo Liu Meidong Jiang Shenglin Prof., Dept. of Electronic Science & Tech.,Huazhong Univ. of Sci. & Tech.,Wuhan 430074,China. |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | anisotropy of Si substrates etching solution properties KTMAH etching solution |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
