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| 用非均匀吸收层椭偏参数计算法求离子注入层的损伤分布(文摘) | |
| 引用本文： | 陈敏麒,罗晋生.用非均匀吸收层椭偏参数计算法求离子注入层的损伤分布(文摘)[J].西安交通大学学报,1981(1). |
| 作者姓名： | 陈敏麒 罗晋生 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系 (陈敏麒)，西安交通大学电子工程系(罗晋生) |
| 摘 要： | 作者研究了硅中注入各种不同剂量的P~ 、As~ 及Al~ 时,由椭偏仪结合阳极氧化剥层逐层测得的椭偏参数△和ψ随深度d变化的情况。当注入剂量较产生非晶层的临界注入剂量高到一定程度时,例如我们所用的注入5·10~(15)/厘米~2或10~(10)/厘米~2的P~ 及注入10~(15)/厘米~2的As~ 情形,得到一些新的实验现象。实验发现由△和ψ算得的表观折射率n和表观消光系数k随深度d振荡而变化,振荡幅度随深度d增大而增大;在注入能量为100kcv的P~ 情形,振荡可出现三个峰值,且在注入区的尾部出现k的谷,其值可达负值。在注入剂量低于 |
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