H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制 |
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作者单位: | 邬瑞彬(四川大学物理系,成都,610064);候永(四川大学物理系,成都,610064);洪根深(四川大学物理系,成都,610064);龚敏(四川大学物理系,成都,610064) |
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摘 要: | 作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H-SiC中的Si元素互扩散所致.
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关 键 词: | 6H-SiC 欧姆接触 氢化 退火 互扩散 |
文章编号: | 0490-6756(2003)03-0488-04 |
修稿时间: | 2003-01-07 |
Study of H2-treatment to Form Al/n-type 6H-SiC Ohmic Contacts and theAnnealing Mechanism of the Contacts |
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