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拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料
引用本文:张铁民,缪国庆,傅军,符运良,王林茂,洪丽.拉曼散射和X射线衍射研究InxGa1-xAs材料[J].海南师范大学学报(自然科学版),2010,23(4).
作者姓名:张铁民  缪国庆  傅军  符运良  王林茂  洪丽
基金项目:海南省教育厅高等学校科研基金项目,国家自然科学基金重点项目,海南省自然科学基金项目,海南师范大学学科建设基金项目
摘    要:使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,x射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.

关 键 词:InxGa1-xAs  拉曼散射  X射线衍射

Study of InxGa1-xAs by Raman Scattering and X-ray Diffraction
ZHANG Tiemin,MIAO Guoqing,FU Jun,FU Yunliang,WANG Linmao,HONG Li.Study of InxGa1-xAs by Raman Scattering and X-ray Diffraction[J].Journal of Hainan Normal University:Natural Science,2010,23(4).
Authors:ZHANG Tiemin  MIAO Guoqing  FU Jun  FU Yunliang  WANG Linmao  HONG Li
Abstract:
Keywords:
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