超临界二氧化碳溶液体系集成处理新一代微电子器件研究进展 |
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作者姓名: | 张小岗 |
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作者单位: | 中国人民大学化学系,北京,100872;Department of Chemical Engineering,Center for Nano and Molecular Science and Technology,University of Texas at Austin, Austin, TX 78712, USA |
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基金项目: | 致谢 本工作为国家自然科学基金(批准号:20576140)资助项目. |
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摘 要: | 微电子加工过程中要用到许多化学品和大量的超纯水, 随着集成电路微型化和结构复杂程度的提高, 各种溶液介质由于自身存在较大的表面张力而不容易穿透进入到微纳结构的内部, 可能影响刻蚀、各种清洗和干燥等过程的正常进行. 因此, 在微电子加工过程中迫切需要引入新的技术和方法来应对这种挑战. 超临界流体, 尤其是超临界二氧化碳溶液体系, 由于其具有独特的物理化学性质, 而且临界条件相对较温和, 有希望作为有机溶剂和化学品水溶液的替代品应用于微电子加工过程. 本文介绍了在微电子核心加工过程中有潜在应用前景的旋转涂敷、微纳尺寸显影、表面硅烷化等有超临界二氧化碳参与的技术, 重点对作者基于二氧化碳溶液体系清除刻蚀后多孔低介电材料微结构中的残余物, 以及超临界二氧化碳溶液干燥光刻胶方面的研究工作进行评述, 并讨论了其今后的发展方向.
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关 键 词: | 低介电材料清洗 光刻胶干燥 超临界二氧化碳 |
收稿时间: | 2006-06-01 |
修稿时间: | 2006-06-012006-09-23 |
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