| 温度和加载速率对位错发射影响的原子级模拟 |
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| 引用本文： | 周国辉 周富信. 温度和加载速率对位错发射影响的原子级模拟[J]. 北京科技大学学报, 1997, 19(6): 605-609 |
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| 作者姓名： | 周国辉 周富信 |
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| 作者单位： | 北京科技大学应用科学学院!北京，100083，北京科技大学应用科学学院!北京，100083，北京科技大学应用科学学院!北京，100083，北京科技大学应用科学学院!北京，100083，中科院力学研究所!北京，100080 |
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| 摘 要： | 以Ａｌ为研究对象，采用ＥＡＭ势实施分子动力学模拟，在Ｉ型和Ⅱ型加载条件下，研究了温度和取向对位错发射，裂纹脆性及韧性扩展的影响，模拟结果表明，升高温度计等发射位的临界应力强度因子按指数规律降低，加载国速度在一定范围内将影响临界应力强度因子，临界应力强度因子随着加载速度的增大而增大。
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| 关 键 词： | 位错发射 原子级模拟 温度 加载速度 裂纹 |
Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission |
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| Zhou Guohui. Atomistic Simulation of the Influence of Temperature and Loading Rate on Dislocation Emission[J]. Journal of University of Science and Technology Beijing, 1997, 19(6): 605-609 |
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| Authors: | Zhou Guohui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | dislocation emission molecular dynamics atomistic simulation Al |
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