a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究 |
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作者姓名: | 张亚菲 李亚红 张仿清 |
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作者单位: | 兰州大学物理系(张亚菲,李亚红),兰州大学物理系(张仿清) |
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摘 要: | 采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.
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关 键 词: | 半绝缘体 半导体表面钝化 热稳定性实验 等离子体 CVD 薄膜 释氢谱 |
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