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基于体驱动技术的低压CMOS带隙基准电路设计
引用本文:王炜,王晓娟,刘涛. 基于体驱动技术的低压CMOS带隙基准电路设计[J]. 合肥工业大学学报(自然科学版), 2007, 30(4): 416-419
作者姓名:王炜  王晓娟  刘涛
作者单位:合肥工业大学,电气与自动化工程学院,安徽,合肥,230009;合肥工业大学,电气与自动化工程学院,安徽,合肥,230009;合肥工业大学,电气与自动化工程学院,安徽,合肥,230009
基金项目:国家自然科学基金 , 国家自然科学基金
摘    要:为满足低电源电压设备对精密电压基准的需求,文章设计了一款低压CMOS带隙基准电路。该电路的放大器使用体驱动技术,提高了输入电压共模范围;基准电路采用电阻分压结构,通过调节电阻之间的比值获得所需要的基准电压;并采用TSMC 0.35μm CMOS工艺模型对电路进行了仿真,电源电压工作在1 V,输出电压在550 mV左右,在-40-120℃范围内温度漂移大约为19×10-6℃。

关 键 词:带隙基准  体驱动技术  电阻分压
文章编号:1003-5060(2007)04-0416-04
修稿时间:2006-04-09

Design of a low-voltage CMOS bandgap reference circuit based on the body-driven technique
WANG Wei,WANG Xiao-juan,LIU Tao. Design of a low-voltage CMOS bandgap reference circuit based on the body-driven technique[J]. Journal of Hefei University of Technology(Natural Science), 2007, 30(4): 416-419
Authors:WANG Wei  WANG Xiao-juan  LIU Tao
Abstract:
Keywords:bandgap reference  body-driven technique  resistive subdivision
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