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| SiC薄膜的热辐射特性研究 | |
| 引用本文： | 韩茂华,梁新刚,黄勇.SiC薄膜的热辐射特性研究[J].科学通报,2005,50(6):588-591. |
| 作者姓名： | 韩茂华 梁新刚 黄勇 |
| 作者单位： | 清华大学航天航空学院,北京,100084;清华大学航天航空学院,北京,100084;清华大学航天航空学院,北京,100084 |
| 摘 要： | 计算了不同厚度的碳化硅(SiC)薄膜的吸收率, 发现厚度在几十至100 μm、上下表面平行的碳SiC薄膜的热辐射具有良好的干涉性质. 由于SiC独特的光学性质, 薄膜对10 μm的入射波吸收率达到0.98, 接近黑体的吸收率; 而对于10.5至12.4 μm波段的热辐射, 又几乎变得不吸收. 计算还表明, SiC薄膜的半球发射率跟温度有关, 在300至500K之间, 半球发射率比较高. |
| 关 键 词： | 碳化硅 薄膜 热辐射 |
| 收稿时间： | 2004-10-25 |
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