|
|||||
|
|
| 半导体SiC材料研究进展及其应用 | |
| 引用本文： | 王辉,琚伟伟,刘香茹,陈庆东,尤景汉,巩晓阳.半导体SiC材料研究进展及其应用[J].科技咨询导报,2008(1):8-9. |
| 作者姓名： | 王辉 琚伟伟 刘香茹 陈庆东 尤景汉 巩晓阳 |
| 作者单位： | 河南科技大学 河南洛阳471003 |
| 摘 要： | 作为第三代的半导体材料，SiC具有带隙宽，热导率高、电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场高和介电常数低，化学稳定性好等特点，在高频、大功率、耐高温，抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史，介绍了SiC材料的生长工艺技术，并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 材料生长 器件 |
| 文章编号： | 1674-098X(2008)01(a)-0008-02 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |