| GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 |
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| 引用本文： | 孙元平,付羿,渠波,王玉田,冯志宏,赵德刚,郑新和,段俐宏,李秉臣,张书明,杨辉,姜晓明,郑文莉,贾全杰.GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术[J].中国科学(E辑),2002,32(5):584-589. |
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| 作者姓名： | 孙元平 付羿 渠波 王玉田 冯志宏 赵德刚 郑新和 段俐宏 李秉臣 张书明 杨辉 姜晓明 郑文莉 贾全杰 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,北京,100083
2. 中国科学院高能物理研究所同步辐射研究室X射线漫散射实验站,北京,100039 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”计划基金，国家杰出青年基金，国家自然科学基金-RGC联合基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上, 并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底. SEM和PL观察表明, 利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质. XRD(S射线衍射)结果分析显示, 键合后的样品中出现了新的合金和化合物: AuGa2, Ni4N, 意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合, 保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻, 成功地完成了键合, 为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.
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| 关 键 词： | 晶片键合 立方相 衬底去除 GaN |
| 收稿时间： | 2001-03-30 |
| 修稿时间： | 2001-09-10 |
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