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| 基于相移法的直流測量半导体內非平衡载流子寿命 | |
| 引用本文： | 陆大荣,吕宗森,隗茂贤.基于相移法的直流測量半导体內非平衡载流子寿命[J].山东大学学报(理学版),1964(2). |
| 作者姓名： | 陆大荣 吕宗森 隗茂贤 |
| 作者单位： | 山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系 1964年应届毕业生，1964年应届毕业生 |
| 摘 要： | 应用相移法测量半导体内非平衡载流子寿命是近年来采用较多的方法。当一矩形半导体样品受一调幅光j=j_0+j_0’sin(ωtf+Ψ)照射,且同时通以恒定电流时(图1),样品两端产生一交变电压v_~=-v_0’sin(ωt+Ψ-φ),其中落后的相角φ满足以下关系: |
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