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| CdS/SiO_2和ZnS/SiO_2半导体掺杂玻璃三阶非线性光学性质的研究 | |
| 作者姓名： | 赵青春 刘纯亮 刘鸿凌 张良莹 姚熹 |
| 作者单位： | 电子与信息工程学院 |
| 基金项目： | 国家“863”新材料研究计划,西安交通大学重点项目青年基金,西安交通大学精细功能电子材料实验室开放基金 |
| 摘 要： | 采用溶胶－凝胶和原位生长工艺成功地制备了 ＣｄＳ／ＳｉＯ２和 ＺｎＳ／ＳｉＯ２半导体微晶掺杂玻璃,给出了该样品三阶非线性光学性质的实验研究方法及其最新实验结果．利用简并四波混频技术测得其三阶非线性极化率的大小在１０－２０ｍ２／Ｗ．此结果比纯ＳｉＯ２基体提高约２～３个数量级．表明半导体掺杂玻璃的三阶光学非线性明显增强．在同样实验条件下,测得 ＣＳ２的三阶非线性极化率Ｘ（３）为（２．４±０．３）× １０－２０ ｍ２／Ｗ,与国际上报导的结果完全一致． |
| 关 键 词： | 三阶非线性极化率 简并四波混频 半导体掺杂玻璃 溶胶-凝胶 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |