| 气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜 |
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| 引用本文： | 汪洪海,郑启光,魏学勤,丘军林. 气体放电增强准分子激光溅射反应沉积 AlN 膜[J]. 华中科技大学学报(自然科学版), 1998, 0(9) |
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| 作者姓名： | 汪洪海 郑启光 魏学勤 丘军林 |
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| 作者单位： | 华中理工大学激光技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 使用氦气放电增强准分子激光溅射反应沉积了ＡｌＮ薄膜．讨论了脉冲能量密度、氮气放电、基底温度等因素对膜的性能的影响．实验结果发现，当ＤＥ＝１．０Ｊｃｍ－２，ＰＮ２＝１００×１３３．３３Ｐａ，Ｔｓｕｂ＝２００℃，Ｖ＝６５０Ｖ，ｆ＝５Ｈｚ，ｄＳ－Ｔ＝４ｃｍ时，高质量的ＡｌＮ薄膜被成功沉积于Ｓｉ（１００）基片上．Ｘ射线衍射和光谱分析表明，所制备的薄膜是具有高取向性的ＡｌＮ（１００）多晶膜，禁带宽度约为６．２ｅＶ．
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| 关 键 词： | 气体放电；准分子激光；溅射反应沉积；薄膜 |
A Deposition of AlN Thin Films with Enhanced Reactively Excimer Laser Sputtering Using Gas Discharge |
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| Wang Honghai Zheng Qiguang Wei Xueqin Qiu Junlin. A Deposition of AlN Thin Films with Enhanced Reactively Excimer Laser Sputtering Using Gas Discharge[J]. JOURNAL OF HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY.NATURE SCIENCE, 1998, 0(9) |
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| Authors: | Wang Honghai Zheng Qiguang Wei Xueqin Qiu Junlin |
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| Affiliation: | Wang Honghai Zheng Qiguang Wei Xueqin Qiu Junlin |
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| Keywords: | gas discharge excimer laser sputtering deposition thin films |
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