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| 用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分 | |
| 引用本文： | 陈诺夫,修慧欣,杨君玲,吴金良,钟兴儒,林兰英.用X射线双晶衍射方法测定GaMnAs组分[J].科学通报,2001,46(24):2035-2037. |
| 作者姓名： | 陈诺夫 修慧欣 杨君玲 吴金良 钟兴儒 林兰英 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所, |
| 基金项目： | 国家重点基础研究（批准号:G20000683和G20000365），国家攀登计划（批准号:PAN95-YU-34）资助项目 |
| 摘 要： | 对计算化合物晶体点缺陷的模型做了改进，在此基础上建立了一种精确测定GaMnAs中Mn组分的方法，并且在测定GaMnAs晶格参数的实验过程中，建立了一种消除X射线衍射仪零点漂移的方法，提高了测定晶格参数的精确度，采用该方法测试分析了离子束外延技术制备的GaMnAs单晶中Mn组分。 |
| 关 键 词： | GaMnAs单晶 稀磁半导体材料 X射线衍射 晶格参数 Mn组分 晶体点缺陷 组分测定 |
| 收稿时间： | 2001-04-19 |
| 修稿时间： | 2001年4月19日 |
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