不同基片生长γ'-Fe4N薄膜的结构及其磁学性能 |
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作者姓名: | 刘伟达 陈蕊 王丽丽 李宏广 安涛 张东辉 徐士翀 |
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作者单位: | 长春大学理学院,长春130022;核工业工程研究设计有限公司,北京101300;长春大学理学院,长春,130022;核工业工程研究设计有限公司,北京,101300;吉林师范大学功能材料物理与化学教育部重点实验室,长春,130103 |
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基金项目: | 国家自然科学基金;优秀青年科学基金;吉林省产业技术研究与开发项目;吉林省产业技术研究与开发项目;吉林省教育厅十三五科学技术研究项目 |
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摘 要: | 采用直流磁控溅射方法, 保持氩气流量不变, 控制氮气的体积分数为10%,125%,15%, 分别用Si(100)单晶和SrTiO3(100)单晶基片制备Fe N薄膜. 用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长Fe N薄膜的结构及磁学性能进行表征. 结果表明: 在SrTiO3(100)单晶基片上得到了单相γ′-Fe4N薄膜, 与Si(100)基片上的样品相比, SrTiO3(100)更有利于诱导γ′-Fe4N薄膜的取向性生长; 当氮气的体积分数约为12.5%时, 制备单相γ′-Fe4N薄膜的晶粒结晶度较好, 且饱和磁化强度较高, 矫顽力比Si(100)为基片获得的Fe N薄膜样品低, 软磁性能较好.
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关 键 词: | Fe-N薄膜 基片 微观结构 磁学性能 |
收稿时间: | 2018-01-03 |
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