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改进型萧脱基晶体管逻辑及其特性
引用本文:刘炳国.改进型萧脱基晶体管逻辑及其特性[J].华南理工大学学报(自然科学版),1985(3).
作者姓名:刘炳国
摘    要:本文提出一种改进型萧脱基晶体管逻辑电路的结构,称为MSTL。它具有标准STL高速度的优点,又具有ISL只需要一种萧脱基二极管的简化工艺优点,而且集成度稍高于STL和ISL。它的逻辑摆幅由萧脱基二极管正向压降决定,采用铝硅萧脱基二极管,电路的逻辑摆幅为400mv。实验中,选用氧化隔离技术,多晶硅发射极晶体管和铝硅萧脱基二极管做在N/N~ /P~ 外延片上构成MSTL。结果表明,用4μm的设计规范,在50μA的工作电流下,获得3.5ns的传输延迟时间。

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