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| 光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型 | |
| 作者姓名： | 周再发 黄庆安 李伟华 卢伟 |
| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | 建立了光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型, 通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞, 使得模拟只需计算表面元胞的刻蚀过程; 同时模型避免了在模拟程序中大量运用if-else结构, 使运算速度大大提高. 因此模型具有稳定性好、运算速度快的优点. 首先利用一些刻蚀速率测试函数对模型进行测试, 验证了模型的效果. 随后结合曝光过程和后烘过程模拟, 采用一个精度较高的光刻胶刻蚀速率计算公式模拟光刻胶刻蚀过程; 并将模拟结果与已有的实验结果进行了对比, 比较一致. 这些结果表明建立的光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA 模型具有较高的精度, 能有效地模拟光刻胶刻蚀过程, 并可与曝光、后烘等光刻工艺模拟的其他步骤集成在一起. |
| 关 键 词： | 工艺仿真 光刻 模型 元胞自动机 |
| 收稿时间： | 2004-08-25 |
| 修稿时间： | 2004-08-252006-10-12 |
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