| 硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应 |
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| 引用本文： | 周德军,张静,王辉. 硅基纳米金属光刻蚀结构的侧向光伏效应[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2014, 50(3): 275-277 |
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| 作者姓名： | 周德军 张静 王辉 |
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| 作者单位： | 防化研究院,1０22０５,北京;东北师范大学,1３０11７,长春;上海交通大学,2００2４０,上海 |
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| 摘 要： | 研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635nm,功率5mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844mV·mm-1,并且线性度较好.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米光刻蚀 半导体异质光伏效应结构 侧向光伏效应 |
THE STUDY OF LATERAL PHOTOVOLATIC EFFECT IN SILICON-BASED PHOTOETCHING NANO-METAL STRUCTURE |
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| ZHOU Dejun;ZHANG Jing;WANG Hui. THE STUDY OF LATERAL PHOTOVOLATIC EFFECT IN SILICON-BASED PHOTOETCHING NANO-METAL STRUCTURE[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2014, 50(3): 275-277 |
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| Authors: | ZHOU Dejun ZHANG Jing WANG Hui |
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| Affiliation: | Institute of chemical prevention,Beijing,102205;Northeast normal university,130117,changchun;Shanghai jiaotong university,200240,Shanghai |
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