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| 分数维方法研究Alx Ga1-x As衬底上GaAs薄膜中极化子特性随Al浓度的变化 | |
| 作者姓名： | 严亮星 田强 |
| 作者单位： | 北京师范大学物理学系，100875，北京;北京师范大学物理学系，100875，北京 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10574011,10974017) |
| 摘 要： | 用分数维方法研究AlxGa1-x As衬底上GaAs薄膜中的极化子,得到了衬底中Al摩尔分数x对GaAs薄膜中极化子的结合能和有效质量的影响,极化子的结合能和有效质量的相对变化(mass shift)都随着Al摩尔分数的增大而单调增大;AlxGa1-x As衬底中Al摩尔分数对不同厚度的GaAs薄膜中极化子的影响程度不同,GaAs薄膜的厚度越小,衬底中Al摩尔分数对GaAs薄膜中极化子的影响越显著. |
| 关 键 词： | 极化子 GaAs薄膜 分数维 |
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