| Co原子浓度对Co-Mn-Si薄膜各向异性磁电阻及半金属性的影响 |
| |
| 引用本文： | 杨辅军,康泽威,姚军,李继辉,肖君,陈晓琴.Co原子浓度对Co-Mn-Si薄膜各向异性磁电阻及半金属性的影响[J].中国科学:信息科学,2015(4):389-395. |
| |
| 作者姓名： | 杨辅军 康泽威 姚军 李继辉 肖君 陈晓琴 |
| |
| 作者单位： | 湖北大学有机化工新材料湖北省协同创新中心;湖北大学物理与电子科学学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:11274101);日本学术振兴会海外研究员项目(编号:P09295)资助 |
| |
| 摘 要： | 向原子比为2:1:1的Co-Mn-Si合金薄膜中掺杂Co原子,试图发现Co-Mn-Si合金薄膜半金属性的变化规律.通过制备系列不同成分Co-Mn-Si合金薄膜,并测试薄膜的各向异性磁电阻比.结果发现制备的Co50Mn Si薄膜具有良好的B2结构,杂质及缺陷数量少(剩余电阻比大),各向异性磁电阻比为负值,从而具有良好的半金属属性.随着Co原子浓度的增加,Co-Mn-Si薄膜B2结构取向度降低,剩余电阻比减小,各向异性磁电阻比增大,其半金属属性随Co原子浓度的增加被逐渐破坏.
|
| 关 键 词： | 半金属 哈斯勒合金 各向异性磁电阻 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
