蒸发纯铟生长In_2O_3透明导电薄膜

在低压氧气氛中蒸发纯铟以制取In_2O_3薄膜获得成功。在此法中,有效蒸发面积等于坩埚的实际窗口面积,並且通过适当控制蒸发条件,可以获得二个有效的源区反应,即4In(l)+In_2O_3(s)→3In_2O(g)及2In(l)+(1/2)O_2(g)→In_2O(g)。因此薄膜生长速率可以比使用In_2O_3/In混合源时提高六倍,达219A/min。得到的膜特性为:当方块电阻等于10欧姆时,对白光的透光率不小于90％(不包括衬底吸收)。