|
|||||
|
|
| MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨 | |
| 引用本文： | 刘海涛,黄扬帆,温志渝. MOS晶体管模型参数提取的实验方法探讨[J]. 实验科学与技术, 2010, 8(4): 4-5,19 |
| 作者姓名： | 刘海涛 黄扬帆 温志渝 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学国家电工电子实验教学示范中心,重庆400030;重庆大学微系统研究中心,重庆400030 2. 重庆大学国家电工电子实验教学示范中心,重庆,400030 3. 重庆大学微系统研究中心,重庆,400030 |
| 摘 要： | 基于CMOS（互补金属氧化物半导体）的集成电路设计在当今集成电路设计中占有很大的比重,MOS晶体管作为CMOS集成电路中最基本的元件之一,其参数的提取在计算机辅助分析中是不可缺少的关键环节之一。文章详细讨论了MOS晶体管众多参数提取的理论基础和实验方法,通过该实验方法的学习和应用,可以使学生对MOS晶体管有更深的认识,同时也对CMOS集成电路设计打下扎实的基础。 |
| 关 键 词： | MOS晶体管 三级模型 直流参数 交流小信号 参数提取 |
Study on Experimental Method for MOS Transistor Model Parameters Extraction |
|
| LIU Hai-tao,HUANG Yang-fan,WEN Zhi-yu. Study on Experimental Method for MOS Transistor Model Parameters Extraction[J]. Experiment Science & Technology, 2010, 8(4): 4-5,19 | |
| Authors: | LIU Hai-tao HUANG Yang-fan WEN Zhi-yu |
| Affiliation: | b(a.National Experimental Teaching Center of Electrotechnics ＆ Electronic;b.Microsystem Center,Chongqing University,Chongqing 400030,China) |
| Abstract: | The design based the complementary metal oxide semiconductor（CMOS） has a great proportion in the integrated circuit design field.MOS transistor as a basic device of the integrated circuit,its model parameter extraction is the key essential string.MOS transistor the level-3 model include many a parameter.In the paper the theory basis and practice method are discussed.Students are able to have a profundity to realize the MOS transistor.Furthermore,strong basis are prepared to design integrated circuit. |
| Keywords: | MOS transistor level-3 model DC parameter AC small signal parameter extraction |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |