|
|||||
|
|
| G.D.非晶硅薄膜中掺硼的作用 | |
| 引用本文： | 吴汝麟.G.D.非晶硅薄膜中掺硼的作用[J].科学通报,1983,28(8):460-460. |
| 作者姓名： | 吴汝麟 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 (吴汝麟，何宇亮，沈宗雍)，南京大学物理系(颜永红) |
| 摘 要： | 近些年来,由于非晶硅太阳能电池及其它非晶器件的新颖性引起人们的极大兴趣。在非晶硅器件的研制过程中,置换性掺杂是一项重要的工序。而掺杂后对非晶硅薄膜结构、电学及光学性质的影响同样是值得深入研究的问题。本文,我们着重研究了用等离子体射频辉光放电法(G.D.法)制备的α—Si:H薄膜中掺硼的性质。工作是分下列三方面进行的。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 | |