PIPS-低本底α、β测量影响因素的研究

PIPS(passivated ion-implanted planar silicon)探测器作为低本底α、β活度分析的发展方向,其影响因素有很多。为了探究PIPS探测器影响因素对低本底α、β测量仪性能的影响,采用PIPS-低本底α、β测量仪、²³⁹Pu平面源和⁹⁰Sr平面源等试验器材,用改变探测器工作偏压、探测距离及真空度的试验方法,进行α、β和本底测量,分析测量结果,再根据本底计数率、探测效率和串道比的极差与仪器分级差值的比值研究了偏压、源距和真空度对测量的影响。结果表明:源距较偏压和真空度对PIPS-低本底α、β测量仪的影响更大,尤其体现在探测效率上,增大源距使α探测效率的极差与仪器分级差值的比值达到2.593,β探测效率的极差与仪器分级差值的比值为0.479。偏压和真空度对测量性能的影响都很小。