| 低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析 |
| |
| 引用本文： | 王生水,魏朝阳,姜晨,高睿,万欣.低半波电压铌酸锂薄膜电光调制器仿真与分析[J].上海理工大学学报,2021,43(5):452-459. |
| |
| 作者姓名： | 王生水 魏朝阳 姜晨 高睿 万欣 |
| |
| 作者单位： | 上海理工大学 机械工程学院，上海 200093;中国科学院 上海光学精密机械研究所，上海 201800 |
| |
| 摘 要： | 针对铌酸锂薄膜Mach-Zehnder电光调制器存在半波电压较大的问题，采用有限元法对方向耦合器耦合模理论进行分析，并对电光调制器的关键结构参数进行优化设计。结果表明：两干涉臂光功率差与波导耦合长度呈正弦函数分布，最小波导耦合长度随耦合间距的增大而增大。在调制臂长度为2 cm,光波长为1550 nm时，仿真计算的半波电压值Vπ为0.9 V，半波电压长度积为1.8 V·cm，消光比达到26 dB。通过调制臂截面分析，得到静电场分量Ex，电位移矢量Dx，以及光模分布，并计算出电光重叠积分因子Γ为0.586。基于上述仿真结果，与以往现有的电光调制器的半波电压（1.4～10.2 V）相比，经优化后的电光调制器的半波电压更低，进而使器件的功耗更低，有利于大规模光电集成。
|
| 关 键 词： | 半波电压 铌酸锂薄膜 电光调制器 有限元法 方向耦合器 光波导 |
| 收稿时间： | 2020/11/23 0:00:00 |
Simulation and analysis of low half-wave voltage lithium niobate thin film electro-optical modulator |
| |
| WANG Shengshui,WEI Chaoyang,JIANG Chen,GAO Rui,WAN Xin.Simulation and analysis of low half-wave voltage lithium niobate thin film electro-optical modulator[J].Journal of University of Shanghai For Science and Technology,2021,43(5):452-459. |
| |
| Authors: | WANG Shengshui WEI Chaoyang JIANG Chen GAO Rui WAN Xin |
| |
| Institution: | School of Mechanical Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China;Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201800, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | half-wave voltage lithium niobate thin film electro-optical modulator finite element method directional coupler optical waveguide |
|
| 点击此处可从《上海理工大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《上海理工大学学报》下载免费的PDF全文 |
